SiCの風・・・はまだ吹かないか・・・。 2012/11/07 (Wed)

東東京ノード締め切り、12月1日。

そしてその日は土曜日。

そして確か部活は・・・。


あれ？もしかして今年大会出れない？

さて、焦点はどうやってエントリーを行なうかにシフトして参りましたロボカップ研究部です。


今日のお話はFETについて。

以前に、両側水冷がなんたらでどうたらなFETがあるなんて記事を書きましたがアレとはまた別物です。


今回紹介するのは今から8年程前に出始めた、新素材でできたFETの話です。

新素材というからには勿論Si半導体ではないということですね。


それがSiC、シリコンカーバイド、日本語的に言うと炭化ケイ素です。

この化合物自体は昔からあるのですが、ここ数年前から、このSiCFETが実は非常に注目されているのです。


何が凄いかというと、具体的には、耐圧、応答速度、そして電力損失です。

特に電力損失については、従来のFETの10分の1、IGBTと比べても半分以下とされています。

順方向電圧もON抵抗も従来の素子より低く、何よりIGBTの苦手とする高速スイッチングに対応しているので

とても各方面から注目を集めているのだとか。


特に数年前にローム社から一般向けにこのFETを発売されてから、その知名度は一気に上がりました。

去年の話ですが、そのローム社が世界初となるSiCの超低損失FETの開発に成功したことでも話題になりました。

来年か再来年辺りの実用化を目指すとかどうとか聞いたような気がします。確か来年だったかな？



これでモータードライバを作る！なんて話が以前どっかのジャパンオープンであったような気がしますが、

これ、FET1個で7000円します。1個で、7k。

もしこれで作るとすれば、相当なお金持ちっていうか、もはや狂信者っていうレベルですよね。

Hブリッジ組むとして、モーター2個でも7000×8で56000円。

NXT2個買ってもお釣りが来ます。お釣りで赤外線ボール買えますね。

こんなんでロボットなんて作られたらもう、ロボカップジュニアのジュニア成分さようならですね。

そもそもFETのはずなのにIGBTの互換として考えている時点でどうなのだろう。SiCのIGBTの開発の話もあるんだとか・・・。

本当にこの先、トランジスタと名のつくものは1つの種類に集約されてしまうのではないか。

そんなことを考えてしまうSiCFETの紹介でした。因みに千石電商でも売ってるようです。


また、DropBoxを始めてみたいという方は此方のリンクから行っていただくと、500MBサービスされるらしいです。

（＾・ω・）ノ RadiumProduction in RoboCup Junior